近日，第31屆半導(dǎo)體年度獎(jiǎng)（Semiconductor of the Year 2025）頒獎(jiǎng)典禮在日本東京舉行，山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司憑借其在碳化硅襯底材料技術(shù)上取得的突破，獲得“半導(dǎo)體電子材料”類金獎(jiǎng)。據(jù)介紹，這是中國企業(yè)自該獎(jiǎng)項(xiàng)設(shè)立31年以來的首次問鼎，標(biāo)志著中國在半導(dǎo)體關(guān)鍵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了歷史性重大突破。

半導(dǎo)體年度獎(jiǎng)由日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專業(yè)媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》（創(chuàng)刊于1991年）主辦，旨在從全球范圍內(nèi)表彰在設(shè)備、器件及材料三大領(lǐng)域的杰出技術(shù)創(chuàng)新，其獎(jiǎng)項(xiàng)以嚴(yán)苛的評(píng)選標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)權(quán)威性著稱。歷屆獲獎(jiǎng)企業(yè)組成全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“黃金榜單”，包括東芝、住友電工、昭和電工等日本產(chǎn)業(yè)巨擘，以及英偉達(dá)、索尼、美光等國際產(chǎn)業(yè)巨頭。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的基石，其襯底材料的品質(zhì)與制備技術(shù)直接決定了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的性能、成本和下游應(yīng)用的普及度，是支撐新能源汽車、特高壓輸電、5G/6G通信、數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本所在。長期以來，高品質(zhì)、大尺寸碳化硅襯底的制備技術(shù)壁壘極高，是國際競爭的焦點(diǎn)。面對(duì)挑戰(zhàn)，天岳先進(jìn)長期深耕襯底材料研發(fā)，通過不懈的技術(shù)攻堅(jiān)與產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)，在材料晶體生長、缺陷控制、加工工藝等核心環(huán)節(jié)取得一系列突破性進(jìn)展，不僅攻克了大尺寸化等世界級(jí)難題，更在材料性能上達(dá)到了國際領(lǐng)先水平。

近年來，山東省建立完善“鏈長制”推進(jìn)機(jī)制，將集成電路確定為標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈之一，集聚政策合力、資源要素，全力實(shí)施“強(qiáng)芯”工程，初步實(shí)現(xiàn)涵蓋設(shè)計(jì)、制造、封測、配套等環(huán)節(jié)的全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展能力，2024年，全省集成電路產(chǎn)量同比增長31.6%，高于全國9.4個(gè)百分點(diǎn)。在顯示芯片、光電芯片、FPGA芯片以及大尺寸硅片、電子特氣、光刻膠等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批拳頭產(chǎn)品，形成了12英寸晶圓制造能力，多家企業(yè)承擔(dān)工信部等國家部委重大攻關(guān)任務(wù)，以第三代半導(dǎo)體為代表的產(chǎn)業(yè)特色優(yōu)勢(shì)加快塑強(qiáng)。

（大眾新聞?dòng)浾?付玉婷）